中国半導体、TSMCの3年遅れに迫る　分解で見えた実力
2024年8月26日
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC192XG0Z10C24A8000000/

回路線幅は7ナノであるにもかかわらず、TSMCの5ナノと同等の性能を発揮できることからハイシリコンの設計能力も一層向上したと分析される。

清水氏はファーウェイの最新スマホを詳細に分析し、「米政府の規制は今のところ中国の技術革新をわずかに遅らせた程度で、中国半導体産業の自国生産に火を付けた」と結論づけている。